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意法半導體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低開關功率損耗

2021年10月26日 11:53 ? 次閱讀

  2021 年 10 月 26 日,中國——STPOWER MDmesh K6 新系列超級結晶體管改進多個關鍵參數,最大限度減少系統功率損耗,特別適合基于反激式拓撲的照明應用,例如, LED 驅動器、HID 燈,還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。

?

  意法半導體 800V STPOWER MDmesh K6系列, 為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼備的標桿。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數在市場上現有800V產品中處于領先水平,能夠實現緊湊的集高功率密度與市場領先的能效于一身新的新設計。

  此外,K6 系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低,可使用更低的電壓驅動,從而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待機應用??倴艠O電荷 (Qg) 也非常低,可以實現高開關速度和低損耗。

  芯片上集成一個 ESD 保護二極管,將 MOSFET 的整體魯棒性提高到人體模型 (HBM) 2 級。

  意大利固態照明創新企業TCI(www.tcisaronno.net)的首席技術官、研發經理 Luca Colombo 表示:“我們已經測評了新的超結超高壓 MDmesh K6 系列的樣片,并注意到其出色的 Rdson* 面積和總柵極電荷 (Qg) 性能特點,給我們印象深刻?!?/p>

  采用 TO-220 通孔封裝的 STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22?6?8, Qgtyp = 25.9nC)是首批量產的 MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore網上商店現已提供免費樣片。DPAK 和 TO-220FP 版本將于 2022 年 1 月前量產。訂購1000 件,單價1.013 美元起。

  意法半導體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產品組合,將導通電阻RDS(on)范圍從 0.22Ω 擴大到 4.5Ω,并增加一系列封裝選項,包括 SMD 和通孔外殼。

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